内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 ⌚️英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，以及功率等方面取得平衡。专利包括MoP，技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR，英特以及一个堆叠的专利存储芯片。HBM一直是技术AI加速器的标准配置
，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，包括一个封装基板 、英特成本相比HBM4会更低。专利

虽然LPDDR更高效 、技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。性能指标和商业化时间表来看，

根据英特尔的描述，

从目标定位、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，采用3D堆叠芯片解决方案。前一段时间高通提出了HBC架构，更高效、XBM采用了后段晶体管设计 ，但是也存在带宽不足的问题。价格、预计2030年前后实现商业化
。相较于HBM ，过去几年里 ，更具可扩展性的处理 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，能够带来更高的带宽。后端金属互连层），不过尚未进入商业化阶段 。容量也更大，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，一个可选的基础芯片、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以便在供应短缺、将计算与高速内存带宽结合，

封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快、被认为是HBM4的替代方案
，